机译:具有直接对准键合的自对准镍基金属源极/漏极的InGaAs n沟道和Ge p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的Ⅲ-V/ Ge高迁移率沟道集成
机译:用于大规模n-MOS器件的外延n + + -InGaAs超浅结
机译:Goatelength对高频应用的InGaAs / InAs / InGaAs复合通道双材料双栅极高电子移动性晶体管装置的影响
机译:使用长宽比陷阱技术在200mm Si晶圆上集成InGaAs沟道n-MOS器件
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于石墨烯的电子光电和电声器件的晶圆级集成
机译:使用纵横比捕获技术在200mm si晶片上集成InGaas沟道n-mOs器件